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n-3C-SiCp-Si相关论文
无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文)
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶......
期刊
LPCVD
n-3C-SiC/p-Si
异质结构
外延生长
坑洞
反向击穿电压
异质结特性
化学气相淀积
外延材料
立方相
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