k·p理论相关论文
带间级联激光器在军事和民用上具有重要的应用价值。传统GaInSb/InAs/GaSb结构的有源区多量子阱的光学增益相对较小,特别的在高温......
拓扑晶体绝缘体是被晶体对称性保护的新一类拓扑材料。最近基于理论预测,拓扑晶体绝缘体在四六族半导体SnTe及其合金Pb1-xSnx(Te,S......
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)......
低维材料由于其晶体和电子结构的独特性展现出非常奇特的物理性质,二维材料和二维拓扑绝缘体就是其中两类重要的材料。二维材料具......
InAs/GaSb二类断带量子阱在新型光电器件方面的应用受到了广泛的关注。但现有关于光电器件的研究多侧重于考虑带间跃迁，即导带与价......
