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a-SiCx相关论文
铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光
在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光......
期刊
光致发光
a-Si
a-SiCx
退火温度
内层
离子注入
发光中心
电子跃迁
运算速度
直接带隙
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