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用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a-SiC:H 薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照.采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄......
随着成膜工艺的日臻成熟,类金刚石(DLC)及a-SiC:H薄膜将得到更加广泛的应用,为了使其应用于航天、航空及核反应堆中的某些关键器件,对......
碳化硅(SiC)材料由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、临界击穿电场高、热导率高、介电常数小、化学稳定性好......