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ZnSe外延膜相关论文
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe......
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ZnSe外延膜
Si衬底
低压MOCVD
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