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本文采用原子力显微镜（AFM）对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明，CaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在Si（111）衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷，并且V缺陷的两侧有相......
本文利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在Si（111）衬底上外延生长四种不同厚度的GaN,缓冲层为高温AM（1060℃,20nm）和低温GaN（525℃,30nm）,外......
