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VDMNOSFET相关论文
一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET(英文)
采用 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件—— VDMNOS-FET (垂直双扩散金属 -氮化物......
期刊
VDMNOSFET
抗辐射加固
栅介质
场效应晶体管
阈值电压
重掺杂
总剂量
抗辐射性能
电离辐射
跨导
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