Ti薄膜相关论文
采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧......
采用磁控溅射技术在异形工件表面制备薄膜时,工件各个部位与溅射靶材之间存在不同的倾斜角度,会导致“阴影效应”。“阴影效应”的......
采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面......
采用高功率脉冲磁控溅射与直流磁控溅射并联的复合高功率脉冲磁控溅射技术,研究直流磁控溅射部分耦合直流电流变化对Ti靶在Ar气氛......
根据气体放电双峰曲线中伏安特性处于“欧姆-反欧姆”过渡区间时,其电子迁移通量将数十倍于磁控溅射离子镀、靶电压数倍于多弧离子......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
建立不同类型的原子团簇模型,利用电荷自洽离散变分法计算了Ti薄膜中不同晶体结构的原子间化学键键能,分析了薄膜中晶体的局域态密......
利用电子束加热沉积（EBD）法在经洁净处理的NaCl基板表面沉积Ti薄膜,并利用离子加速器向薄膜中注入62keV N＋2离子,分析了N注入前后Ti薄......
采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜，研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增......
用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平......
高功率脉冲磁控溅射因其溅射原子离化率较高，在薄膜沉积中表现出巨大的优势，成为当前磁控溅射技术领域一个新的发展趋势。在此基础上......
采用离子镀技术于淬火态GCr15表面沉积Ti镀层,通过改变脉冲宽量,对GCr15基体温升进行控制。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜......
控制磁控溅射工艺中的溅射功率为变量,在玻璃基体上沉积了相同厚度的纯Ti金属薄膜。采用原子力显微镜、X射线衍射仪、纳米压痕仪、......
利用三维动态蒙特卡洛模型模拟了Si基底上沉积Ti薄膜的初始期间的生长特性。模拟结果发现,在扩散截止步长为50的情况下,沉积温度和......
ZnO是一种II–VI宽带隙直接半导体化合物，常温下其带隙宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，它具有优异的化学性质、热稳定性及电学性......
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