使用近距离升华（CSS）方法在玻璃衬底上制备了CdTe自掺杂Te薄膜，通过XRD，SEM，EDS，紫外可见分光光度计，以及光致发光（PL）谱分析讨论了掺Te薄膜......

Te薄膜是一种VI族窄带隙元素半导体材料,晶格缺陷作为受主使其表现出P型导电性。Te位于Se和Po之间,具有半金属性,使其表现出多价性......

利用自主改进后的能量过滤磁控溅射(energy filtering magnetron sputtering,EFMS)技术制备Te薄膜,研究了沉积温度对薄膜结晶特性......

硅材料具有良好的电学特性、比较完善和低成本的制备工艺,使硅材料在光电和集成电子领域中使用的最基本的材料。但是由于其间接带......