应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性。对金属铂上的TiO2膜层来说......

应用Cheng—Born能带对称破缺理论和TFDC（Thomas-Fermi—Dirac-Cheng）电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说，T......

运用固体与分子经验电子理论，定量分析了Mg2Ni溶氢前后的电子结构与性能变化。结果表明，Mg2Ni中，Ni-Mg键在相互作用中占主导，而Mg2NiH4......