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S栅体接触相关论文
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋......
期刊
STI
PD SOI NMOS
总剂量辐照
S栅体接触
kink效应
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