硅不仅易提取,耐高温,成本低,而且储量较为丰富,因而是目前使用最为广泛的一种半导体材料。但是,单晶硅材料的禁带宽度为1.124 eV（3......

深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加......