【摘 要】
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深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电
【机 构】
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深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。
The effect of SiNx passivation film thickness on the electrical properties of AlGaAs / InGaAs / GaAspHEMT was studied in depth. The experimental results show that the cutoff frequency of pHEMT device decreases with the increase of SiN passivation film thickness. When the film thickness exceeds 200 nm, Will affect the electrical properties of the pHEMT device.
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