Semiconductorprocess相关论文
采用直写ＡＳＩＣ技术能缩短产品的研制周期，降低研制成本，无风险地进行了批量生产，加快ＡＳＩＣ投放市场的速度。分析了直写ＡＳＩＣ技术的特点，介绍了激光直写......
介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底，Ｎ型Ｐ型双埋层，Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用......
论述了实验设计技术与ＴＣＡＤ相结合用于半导体工艺和器件性能优化的新途径，它可以极大地减少开发和研制新工艺、新器件的时间和成本。......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度......
研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅，更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计中３．０μｍ，的发射极条宽“......
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果，提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温......
叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生......
介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论......
集成电路的成品率是集成电路制造中的一个重要问题。只有高水平的集成电路成品率，才能降低集成电路成本，带来集成电路的高质量及高可......
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获......
为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低......
提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数......
