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GaN基材料主要包括氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）及其合金材料,其禁带宽度可以在AlN的6.2eV到InN的0.7eV之间连续可调,其发光范......

GaN材料作为一种宽禁带半导体材料、相比于其他半导体材料具有许多突出的特点比如高电子漂移饱和速度、良好的导热性能、化学稳定......