利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54 HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在+5V偏......

为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件（高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元）进行了总剂量辐照实验......