MOS场引晶体管相关论文
本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅( MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维问题,以表面......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势......
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要......
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要......
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要......
本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道理论．晶体管分成两个区域，源区和漏区．每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子......
场引晶体管本质双极，包括电子和空穴表面和体积沟道和电流，一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明，55年来它被认为单极场引晶......
本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇......
本文描述双极场引晶体管（BiFET）及其理论．把两维晶体管分解成两个一维晶体管，得到解析方程．以表面势为参变量，采用电化（准费米）势梯度驱动......
本文描述双极场引晶体管（BiFET）飘移扩散理论，包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅,把两维晶体管分解成两个一维问题，以表面势为参......
