对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓......

在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁......

本文介绍了Polysilicon Buffered LOCOS(PBL)隔离工艺技术,与常规的LOCOS相比,PBL只是在氧化层和氮化硅(SiN)之间加了一层多晶,用......

随着集成电路飞速发展和集成电路制造工艺水平的提高,芯片的集成度越来越高,同时也对新的集成电路设计和制造提出了更高的要求,其......