采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......

采用阳极氧化铝箔的方法制备了孔径分布均匀的阳极氧化铝（AAO）模板，然后通过激光分子束外延（LMBE）的方法在这些孔洞里生长有序铁纳米阵......

在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......

随着半导体技术的发展，半导体芯片中晶体管的特征尺寸从十几年前的0.35μm缩小为目前最先进的22nm，这使得芯片的集成度提高了成千上......

利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.......

分别采用一步阳极氧化法（one-step anodization）和二步阳极氧化法（two-step anodization），以草酸为电解液制备了具有规则纳米阵列孔洞结......

CeO2是最受广泛关注的稀土氧化物材料之一,在微电子、缓冲层材料、催化剂、气敏传感器等诸多领域有着广阔的应用前景。本论文采用......

稀磁半导体材料(DMS)因兼具磁性材料和半导体材料的双重特性，可同时利用电子的电荷性质及自旋性质而引起广泛注意。这类材料具有一......

ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料具有非常优异的光电特性，已成为可见和紫外发光和探测领域的研究热点之一。高结晶质量的ZnO外延薄......