In GaN是重要的Ⅲ族氮化物半导体材料,已经被广泛应用于光电器件的制作,并对发展新一代的太阳能光伏器件具有独特的应用前景。研究......

InxGa1-xN是一种重要的III族氮化物半导体材料,其带隙宽度随着In含量x的变化,可以在0.77 e V(x=1)到3.42 e V(x=0)之间连续可调,覆......

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光......