采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探......

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Ⅲ-Ⅴ族的In Ga As探测器由于其探测率高、工作温度高、抗辐照等特性在短波红外波段显示出明显的优势。随着航天遥感及成像领域对I......

采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初......