利用 ＡＣＲＴ—ＶＢＭ法生长 Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火，实现了晶片的反型......

根据Hg1-xMnxTe的光学吸收光谱,用Kana模型详细分析了重空穴和导带间的直接跃迁导致的本征光吸收。研究表明当光吸收系数α......

采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现：与化学抛光后所测值相比，抛光前所测得......

Hg1-xMnxTe是由二价磁性离子Mn2+部分取代HgTe晶格中的Hg2+形成的三元稀磁半导体。零磁场时，Hg1-xMnxTe的电子能带结构及其它半导体......

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......