研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系.发现常温300K时,4H-SiC MESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;......

基于二维器件仿真软件Medici对4H-SiC双极型晶体管(BJT)进行了建模,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完......

报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中......

对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下......

报道了在4H-SiC衬底上AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果．器件采用栅长为0.7μm，夹断电压为-3．2V，获得了最高......