GaAs纳米线相关论文
由于光电方面的应用,半导体纳米材料是近几十年很有潜力的研究领域。由于量子限制效应和大的表面积体积比,纳米材料具有与体材料完......
Ⅲ-Ⅴ族材料比Si具有更高的载流子迁移率和吸收系数,因此III-V族化合物半导体被广泛认为是新一代光电子器件取代Si更有前途的候选......
纳米结构光电探测器具有光学灵敏度高、响应速度快、光电转换效率高等优点,被广泛应用于光学成像和传感、环境监测、化学/生物传感......
经过几十年的发展,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在光电器件的应用方面一直扮演着重要的角色,而Ga As纳米线因其优异的力学性质、电子学性能及......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
采用分子束外延技术在N-型Si （111）衬底上利用自催化生长机制外延砷化镓（GaAs）纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂......
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由于半导体纳米线特殊的结构特征和独特的物理、化学性质,IV族和III-V族材料制成的纳米线在化学传感器、锂电池、热电转换器件、光......
本论文的研究工作是围绕以下项目展开的：新型光电子器件中的异质兼容集成与功能微结构体系基础研究(国家973计划项目,编号2010CB327......
本论文中的工作都是基于本实验室课题组承接的国家重点基础研究发展规划(“973”计划,项目编号：2010CB327600)中的“新型光电子器件......
材料的可控合成是研究材料的结构与性能的重要前提。本研究采用金颗粒催化的化学气相沉积法合成GaAs半导体纳米线,研究了金颗粒催......
采用第一性原理的密度泛函方法,研究了利用表面修饰来调制GaAs纳米线的电子结构.在计算中考虑了几种不同的表面钝化材料(H、F、Cl......
纳米线表面存在大量的表面态,它们能够引起电子分布在纳米线表面,使得纳米线的电学性质对表面条件变得更加敏感,严重地制约器件的......
本论文的研究工作围绕以下项目展开的：国家科技部973计划项目(编号为2010CB327601)、教育部博士点基金(编号为20120005110011)、国......
