GAAS器件相关论文
本文报导了对贮存10年的GaAs器件可靠性快速评价的结果,并探讨了在特殊情况下,对超贮存期器件使用的可能性.......
根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹......
GaAs器件寿命试验中，器件的性能参数退化与结温密切相关，本文对其如何确定结温问题进行展开，介绍了热阻的定义以及目前测试热阻常......
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
The technology of maki......
1引言作为在CATV行业最早推出GaAs模块的公司,PDI经过多年的探索和市场考验,最新推出了适应中国市场的系列GaAs模块,该产品秉承了G......
基于近几年的文献报道，综述了110GHz以上固态功率放大器的现状和电路结构。归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功......
砷化镓（GaAS）器件设计与制造最初被视为欧洲组件厂商力压日本和美国竞争对手的一个良机。日本和美国组件制造商一直在CMOS器件领域保......
本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上......
Sematech研究人员正致力于III-V族和SiGe等异质结半导体的研究工作。在2008年度VLSI技术论坛上,Sematech的科学家们发表了的三篇论......
介绍了用电子束直写GaAs图片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术，并在GaAs器件的研制中得到应用。......
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光......
根据Strategy Analytics高端半导体应用（ASA）电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器......
据市场调研公司Strategy Analytics的数据显示，2007年砷化镓（GaAs）器件市场达到36亿美元，比2006年增长17％。Strategy Analytics表示，最大......
本文介绍一个用来设计及研究GaAs器件及其IC,且具有良好的图形交互界面的IC-CAD软件,它可以完成诸如示波、扫频、频谱、阻抗与电平......
本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给......
欧姆接触是砷化镓器件中的基本单元，它的电性能极大地影响器件的质量。在众多的欧姆接触系统中，ＡｕＧｅＮｉ系统应用最为广泛。利用扫描俄歇电子......
介绍了国外ＧａＡｓ微波器件及ＭＭＩＣ的可靠性研究进展情况，给出ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＭＭＩＣ的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。......
（Ａｌ．Ｇａ）Ａｓ－ＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比ＭＥＳＦＥＴ优越的新型器件。在器件模拟这一领域......
