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有机太阳能电池吸光活性层的电学传输特性和光学吸收特性不匹配，是制约其能量转换效率提升的主要原因之一。采用陷光结构操纵入射光......
玻色－爱因斯坦凝聚成为探索量子世界的一种新方法，而且在半导体纳米结构中激子的凝聚研究取得了很大进展。实验上利用耦合量子阱间接......
在有效质量近似下，考虑强的内建电场和应变对材料参量的影响，变分研究了流体静压力对有限高势垒应变纤锌矿GaN/Al0.15Ga0.85N柱形量......
介绍了体异质结聚合物太阳电池的基本原理, 并分析了限制体异质结有机太阳电池转化效率的因素。从提高激子的产生效率及其解离效率......
用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的GaN中自由、束缚激子(BX)的跃迁,讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿......
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光......
A highly efficient single-photon source based on a semiconductor quantum dot(QD) is a promising candidate in quantum inf......
A GaN/Si nanoheterostructure is prepared by growing wurtzite GaN on a silicon nanoporous pillar array(Si-NPA)with a chem......
New materials have been developed for PDP for fast addressing and power reduction.They show the transition in R&D from m......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
By using the normal ordering method, we study the state evolution of an optically driven excitons in aquantum well immer......
It is theoretically shown that excitonic Doppler-Rabi oscillations can occur in an organic slab moving along the axis of......
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在不同表面压的LB膜上,应用光谱学和原子力显微镜学研究了由罗丹明标记的膦脂分子形成的多种聚集态.这些分子聚集态使光谱的峰值位......
考虑了内建电场的影响,用变分法计算了GaN/GaAlN量子阱(QW)的电子子带和激子结合能.结果表明,对于阱宽较大情形,电子和空穴高度局......
考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值......
在有效质量近似下,考虑强的内建电场和应变对材料参量的影响,变分研究了流体静压力对有限高势垒应变纤锌矿GaN/Al0.15Ga0.85 N柱形......
利用记忆函数方法研究了抛物量子点中的光电导，并导出了光电导的解析表达式．以典型的GaAs／Ga1-xAlxAs抛物量子点为例作了数值计算，结果......
考虑了无限高势垒量子阱,计算得出了零维、一维、二维和三维量子阱中激子-声学声子耦合导致的激子基态能量移动.结果表明,激子的声......
载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-nap......
在有效质量近似下,用变分法研究了受限于闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态.数值结果显示了量子点的结构参数和铟含量对闪锌矿InGaN......
研究了抛物型半导体量子点中弱耦合激子的性质，在有效质量近似下，采用线性组合算符和幺正变换的方法，导出了抛物型半导体量子点中激子......
基于有效质量近似,运用变分方法计算了闪锌矿InGaN/GaN量子点中的激子结合能和带间发光波长.数值计算结果显示出当柱形InGaN/GaN量......
在存在着随机粗糙和空间色散时,利用了一个数字模型研究表面激子极化激元的定域化.发现定域化出现在表面激子极化激元的最大频率附......
在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称AlxGa1-xN/GaN/Al......
将磷光材料三-（2-苯基吡啶）-铱[Ir（ppy）3]掺杂在聚乙烯基咔唑（PVK）中作为发光层,制作了多层有机电致发光器件。采用常规的光电测量方法,......
采用非绝热的分子动力学方法数值模拟了一条聚合物链中双极化子和激子的碰撞过程。研究发现双极化子和激子的反应主要存在两个通道......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下能带带隙Eg为3.37eV.由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚......
ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温激子束缚能高达60meV，远大于室温热离化能（26meV），因此ZnO是适于室温或更高温度下......
在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上，采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与ID声子弱耦合体系的基态能量，推......
采用推广的LLP方法研究了自组织量子点中磁激子的极化子效应。考虑带电粒子和声子的相互作用，得到了激子能量随磁场的变化关系。结......
合成了一种新型的稀土铽配合物材料n（o-MBA），phen，并把它作为发光材料应用于有机电致发光器件中。将铽配合物与PVK的混合溶液用旋涂法......
利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是：未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品。在5K温度下,采用共聚焦......
在有效质量近似下，采用变分方法研究了球型核壳量子点中激子的性质。数值计算了电子波函数随位置的变化关系以及临界势随球壳宽度和......
在有效质量近似下，采用线性组合算符和幺正变换方法研究了极性晶体量子点中强耦合激子的内部激发态性质，导出了极性晶体量子点中强耦......
研究了电子-体纵光学声子弱耦合情况下，抛物量子点中激子的性质。在有效质量近似下，采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子......
本文分别计算了纤锌矿和闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中重空穴激子的基态能量和结合能,给出了这两种量子阱中激子的基态能量......
研究表明，在费仑克尔激子的超辐射理论中出现在辐射强度和相干度中的无规颤动是由非旋波作用所引起的。另外，在不考虑非旋波作用项后......
导出了三元混晶中电子-空穴对有效相互作用势(哈肯势)，研究了混晶效应对激子结合能的影响.讨论了三元混晶中激子的性质.计及激子与......
研究了抛物阱中极化子效应对激子的影响.利用变分法计算了重空穴激子和轻空穴激子的基态能量及其能量移动,所采用的是含有三个变分......
通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流......
本试验着重探讨了粗皮侧耳在液体发酵条件下产生杀线虫毒素的影响因子,试验结果表明:粗皮侧耳液体发酵的最适温度为28℃,最适pH值......
回顾了近年来耦合量子阱中激子玻色-爱因斯坦凝聚的研究进展和主要实验成果,提供了耦合量子阱中间接激子凝聚的实验证据和高度简并......
用无限深势阱和有限深势阱2种模型,计算了激子束缚能与球形量子点半径的关系.计算结果表明：对于无限深势阱模型,量子点中激子束缚能......
采用二体模型,通过坐标变换把二体问题化为两个单体问题,再分别采用无限深球方势阱和氢原子模型求解,通过一定的近似,得到了ZnO量......
采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算，分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以......
应用包含了链内无序和外加电场的Su-Schriffer-Heeger（SSH）模型,本文研究了聚合物链上正负极化子对的复合过程中的无序效应。应用非......
用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜.得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光.观测到了纵光学波(LO)声子吸收峰......
通过在主体材料上蒸镀一层荧光染料超薄层的方法,研究了有机小分子5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene（rubrene）薄层在器件中不同位......
