采用钨丝催化化学气相沉积(Cat—CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜，研究氢气稀释率(FR(H2)／(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。......

被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料一SiC，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能......

非晶硅薄膜和SiC薄膜由于其优异的光电特性，在半导体产业中占有重要的地位。非晶硅薄膜是高效、廉价光伏太阳电池的理想材料，并且可......