Ca2Si相关论文
基于第一性原理计算了稀土元素La、Y分别掺杂和共掺杂Ca2Si的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。计算结果表明, La单掺杂......
磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜.随后,600℃分别真空退火5、......
Development of the nano-electronics requires materials with both high carrier mobility and a sufficiently large electron......
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正......
概述了Ca2Si的基本性质、制备工艺和应用,阐述了Ca2Si的研究进展及其制备,指出了存在的问题以及今后的研究方向.......
采用基于密度泛函理论第一性原理超软赝势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质,分析了P掺杂对Ca2Si的能带......
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2S......
磁控溅射系统在恒定Ar气压和Ar气流流量下,使用不同射频溅射功率在Si(100)衬底上分别沉积Ca薄膜;随后,800℃真空退火1 h.立方相的Ca2......
基于第一性原理的方法计算了B掺杂Ca2Si的电子结构,计算结果表明,B掺杂使晶胞体积减小,带隙变窄,导电类型为P型。......
采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外廷关系为Ca2Si(001)//Si(100),取向关系为Ca2Si[100]//Si[110]立方相的ca2Si平衡体系下能带结......
采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电......
采用模守恒贋势和超软贋势两种方法分别计算立方晶系Ca_2Si的声子色散关系、声子态密度和热力学特性。运用线性响应方法和有限位移......