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光CVD-SiO2薄膜的研究
本文论述了光化学气相淀积(光CVD)SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50~200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对......
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