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随着晶体管尺寸的减小,硅基器件遇到的不利“二级效应”越加难以克服,新材料的开发迫在眉睫。碳纳米管凭借特殊的结构与优异的电学......
存储墙问题是限制处理器性能提升的关键问题之一,末级缓存(Last Level Cache,LLC)作为片上系统中容量最大的缓存,是影响处理器性能......
随着计算机技术的高速发展,热功耗已然成为限制CPU性能提高的一个重要原因,如何克服它对于以后的高性能CPU设计制造务必重要。而虽......
The next generation of logic gate devices are expected to depend upon radically new technologies mainly due to the incre......
Scaling problems and limitations of conventional silicon transistors have led the designers to exploit novel nano-techno......
模数转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC）是片上集成系统的关键部件,通过对逐次逼近逻辑电路和三值逻辑原理的研究,提出了一种......
通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube F......
通过对碳纳米场效应晶体管(CarbonNanotubeFieldEffectTransistor,CNFET)多阈值特性和多值逻辑原理的研究,结合移位寄存器设计方法......
通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析,结合碳纳米场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET）的特性,提出......
针对三值比较器速度慢和功耗高的问题．在研究多值逻辑电路工作原理和比较器电路结构的基础上，提出一种碳纳米场效应晶体管的新型多位......
二值信号(0,1)在集成电路领域应用较多,但由于它携带的信息量少,导致电路的布线面积增加。为减小电路的布线面积和增加其对数据的......
通过对脉冲式时序电路的研究,利用多值开关信号理论,设计基于碳纳米场效应晶体管的单边沿和双边沿三值脉冲式D触发器.该方案利用CN......
