Al组分相关论文
AlxGa1-xN材料具有带隙可调（3.4 eV～6.3 eV）、高载流子迁移率等特点,使用Si对AlxGa1-xN材料进行掺杂,可以将AlxGa1-xN晶体变为以电子......
本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,......
长期高速率的氮(N)沉降将大量的活性N输入到陆地生态系统,使得部分森林生态系统的土壤酸化问题日益严重。酸化导致的土壤中交换性......
为了确定量子阱红外探测器（QWIP）峰值响应波长与势垒中A1组分的关系，建立微观结构表征与宏观特性的关系，设计不同组分含量的实验样品，对......
GaN基LED技术是实现半导体照明的关键技术，GaN基深紫外LED不仅具有高的白光转化效率，而且还在医疗、净化等方面有重要的应用。然而制......
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导......
在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流......
期刊
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率......
鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al......
采用激光显微光致发光（PL）光谱仪测试了低Al组分AlxGa1-xAs的室温显微光致发光谱，研究了光致发光测试方法的特点，结合文献中报道的低Al......
通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解，得到了能带与电子波函数的分布情况，并且计算了在近共振条件下偶......
在研究了三能级AlGaN/GaN量子级联激光器性能影响因素的理论之上,进一步采用了严格的计算方法对此材料量子级联激光器的四能级系统......
为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN......
考虑电场及隧穿效应的影响，基于常微分数值计算方法，并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程，获得电子本征态。以典型......
采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料。利用傅里叶光谱仪分别对势垒中Al组分为0.20,0.......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率......
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层......
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构，对GalnAs／A1GaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟，研究了包层和波导层的......
基于不同的研究者报道的AlGaN／GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分，通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程......
为了确定量子阱红外探测器(QWIP)峰值响应波长与势垒中Al组分的关系,建立微观结构表征与宏观特性的关系,设计不同组分含量的实验样......
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜......
学位
对蓝宝石衬底上生长的一系列AlxGa1-xN薄膜进行了椭圆偏振光谱研究,得到了薄膜的厚度以及245～1000nm的光学常数;通过有效介质模型计......
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对A......
在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH-LED)的材料生长过程中,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性,这对LED的发光......
