AlN外延相关论文
Ⅲ族氮化物以其具有宽广直接带隙的突出特点,成为开发短波长、高速度光电子器件最重要的半导体材料之一。随着氮化物技术口益成熟,......
近二十多年来,以GaN为代表的III族氮化物半导体由于具有大禁带宽度、高极化强度、高击穿场强和高电子饱和速度等优点,在高频、高压......
