低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个Si......

研究自动张量低能电子衍射对半导体复杂表面结构的有效搜寻范围，它经金属表面或金属吸附表面的有效搜寻范围要小，利用自动张量低能电......