边缘曝光相关论文
介绍了一种晶圆上厚胶边缘的去除方法（7～20μm），结合化学去除和边缘曝光二者的优势。与现有技术相比，缩短了厚胶边缘光刻胶去除的时间，通......
摘 要：微电子领域应用的先进封装技术包括凸点互连技术、再布线、倒装片、3D堆叠等，而光刻与电镀工艺流程是先进封装技术中的重要环......
文章设计了WEE系统,用于晶圆的边缘曝光工艺需求。首先进行了WEE系统的硬件设计;运用最小二乘法计算得到晶圆的圆心,运用几何旋转-......
