自补偿效应相关论文
通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电......
近来氧化锌薄膜的p型转化研究是一个热点,人们尝试了不同的方法来实现.本文分别从自补偿效应,马德隆能以及热力学等角度介绍了氧化......
用计算全息图(CGH)检测非球面时,除了设计零位补偿CGH 外,还往往设计辅助调节CGH,从而可以利用干涉图来精确调节CGH 的位置。针对这种......
运用改装的四球试验机考察了ZS添加剂在不同油中对不同摩擦副的磨损自补偿摩擦效应.研究表明:ZS添中剂对油品和摩擦副均具有良好的......
该文介绍磨损自补偿设想及其润滑添加剂对钢/钢摩擦副和铜/钢摩擦副的磨损自补偿效应和摩擦学效应。......
CdS是重要的Ⅱ-Ⅵ族材料之一,在室温下禁带宽度为2.42eV,具有其独特的性质和广泛的应用前景引起了科学界的浓厚兴趣。CdS纳米带合......
ZnO是一种非常重要的宽禁带(禁带宽度为3.37eV)半导体材料,其室温激子结合能高达60meV,在下一代蓝紫光发光二极管、激光器等短波长光......
碲镉汞材料是用于制作红外探测器的重要半导体材料。随着红外技术的迅速发展,对于碲镉汞材料的电学性质的认识已不能停留在基于经......
ZnO是一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注.自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电......
作为典型的宽禁带半导体材料之一,氧化锌(Zn O)抗辐射能力强、激子束缚能高等优异的性能使其在光电、铁磁、光敏等领域具备广阔的......
本论文创新地采用高温高压技术,选择Sb为受主掺杂元素,开展了p型ZnO的制备和性能的研究工作。在5.0GPa,1450℃条件下制备出性质较......
核辐射探测器是实验核物理技术重要的探测元件,在科学研究、核安全、核医学、环境监测、空间飞行、采矿工业等领域发挥着不可或缺的......
ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,熔点为2230K,具有良好的热稳定性和化学稳定性以及更短的激射波长,是......