离子能量分布相关论文
双频容性耦合等离子体源（DF-CCP）是最近几年发展起来的一种新型的等离子体源,它通过采用一个高频源和一个低频源来共同激发等离子体,......
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随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸变得越来越小,集成电路的结构也变得越来越复杂。因此,在半导体芯片生产过程中,起......
利用质谱仪对不同进气速率下的氩气、氮气及氮-氘混合三种射频感应耦合等离子体的离子能量分布、离子浓度演化进行了研究.实验结果......
本文分析了低气压射频电容耦合等离子体鞘层中由离子和中性粒子碰撞反应产生的二次离子的动力学行为,发现(1)二次离子轰击极板的能......
A self-consistent two-dimensional(2D) collisionless fluid model is developed to simulate the effects of the low-frequenc......
介绍了一种具有广泛应用前景的新型等离子体源—螺旋波等离子体源,其特点是结构简单,可以产生高密度的等离子体。论文首先简述了螺......
低温等离子体是对当今科技发展与工业应用影响重大的一项科学与工程,未来半导体行业的集成化和微型化要求会更高,也就迫切需要低温......
在微波ECR设备中，利用能量分析器进行了对非晶碳氢膜刻蚀过程中离子能量的测量，对比根据在线椭偏仪所测的刻蚀率，我们得到离子能量分......
射频等离子增强化学气相沉积是制备优质薄膜的一种非常重要的方法，等离子体中输运参数与薄膜生长及其特性关系密切。我们综合利用自......
该文用蒙特卡罗方法模拟了辉光放电尘埃等离子体的离于输运行为。考虑自洽电场。计算了靶处的离子能量分布和靶附近的离子密度，以及......
随着航天器对推进系统性能要求的不断提高，电推进以其独有的优势被越来越多地应用在卫星姿态控制、位置保持、空间飞行器深空探测、......
近年来,微波电子回旋共振(ECR)等离子体已成功地运用于表面处理、刻蚀和薄膜制备等微电子工业应用中,并用日益为世人所瞩目.该文采......
该文采用微波(2.45GHz) ECR沉积装置进行了用于平面光波导的SiO及掺Ge的SiO薄膜的制备.在Si基片上温度低于150℃、总气流量小于50s......
本文参考ＴＲＩＭ程序，建立用于模拟计算多种荷电态离子注入过程的程序。在此基础上，对注入离子荷电态进行拟合。本文的结论对注入离子束能量......
研究了等离子体反应装置内的等离子体密度、粒子能量与角度分布等参量在装置径向与轴向上的分布特性。在研究过程中应用二维混合模......
随着工业技术的发展,离子源已广泛应用于微细加工的离子束刻蚀技术、材料表面改性的离子注入以及光学薄膜制备中的离子束辅助镀膜......
螺旋波等离子体是一种高密度的低温、低气压等离子体.这种等离子体在超大规模集成电路工艺、微机电系统加工、新型薄膜材料及纳米......
利用四极杆质谱仪研究了Ar／O2混合气体放电中低频频率和O2含量对离子能量分布和平均能量的影响。研究结果表明当低频频率增大时，离子......
在等离子体多频电容放电过程中不同频率的电压、谐波、频率、是如何影响离子的能量分布，分析和把握这种现象和成因机制，对于更好地控......
感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,即ICP)由于其具有大面积、高密度、离子能量和通量能够独立控制等优点,通常被用于......
阻滞势分析仪(RPA)可有效获得等离子体离子能量分布,针对空间电推力器产生的交换电荷等离子体羽流参数范围与特性,开展了专用RPA的......
电容耦合等离子体广泛应用于对材料表面进行刻蚀和沉积,特别是在大规模集成电路制造中。材料表面的离子能量分布是影响工艺结果的......
本文包括两个部分的内容。第一部分主要讨论电磁波在大气等离子体中的传播。结合隐式差分格式和辛普森积分算法数值求解电磁波在一......
双频容性耦合等离子体（dual-frequency capacitively coupled plasma DF-CCP）源是半导体工业中重要的刻蚀设备,由于其可以产生大面积......
空心阴极是电推进系统的核心部件,主要承担电子源和中和器的工作。由于航天系统的特殊性,要求空心阴极具有极高的寿命和可靠性,稳......
容性耦合放电等离子体源被广泛应用于微电子制造工业中的刻蚀、薄膜沉积、表面改性等材料处理工艺中。现在随着集成电路特征尺寸不......
为了快速获得等离子体离子能量的分布规律 ,研制了一套等离子体离子能量自动分析器 .离子能量自动分析器由多极型探头和计算机控制......
