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磷化铟衬底相关论文

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生长温度对In0.53Ga0.47As／InP的LPMOCVD生长影响

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延......

期刊

IN0.53GA0.47AS/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物生长温度低压金属有机化学气相沉积半导体材料磷化铟衬底 InGaAs growth te

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