硫钝化相关论文
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
作者对在GaAs(100)面上用气相淀积生长方法得到的GaS薄膜进行了结构分析,并对GaS作为绝缘材料制备的MIS器件进行了电学分析.用光电......
1970年10月美国斯特灵化学品公司(当时名为孟山都)建于得州得克萨斯市的年产30万吨甲醇的低压法甲醇/合成气工厂正式开工.当初,该......
利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(100)表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性.实验结果表明,......
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对......
研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,......
硫钝化对GaAs FET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAs MESFET饱和源漏电流(IDSS)下降的原因,认为硫处理降低了Nd和Nd/N......
锑化镓（GaSb）作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取......
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 G......
<正>0622863窄线宽光纤激光器关键技术研究[刊,中]/高雪松//激光与红外．—2006,36（6）．—441-444（G）文章介绍了实现窄线宽光纤激光器的线......
本文分析了GaSb表面态形成的原因,以及具有这种高表面态密度的表面性质对GaSb材料器件的影响,探索了降低GaSb表面态密度的方法,主......
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术......
对808nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究，发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性．输出功率提高了1......
本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的器件物理、......
砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaSb及其四元化合物半导体GaInAsSb材料均为具有闪锌矿结构的直接带隙半导体材料,因此在制造发光二极管、......
GaAs是重要的III-V族半导体材料,本文对其进行了湿法硫钝化研究,以提高其光学性质,得出钝化处理20min后,其发光强度为处理前的6倍......
砷化镓微波功率场效应晶体管（GaAs MESFET）是一种在电子行业中广泛应用的化合物半导体器件,它对微波功率器件和集成电路的发展具有很......
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