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Hall推进器自1970年成功研制以来,在航天中得到了广泛的应用,随着Hall推进器技术的不断发展,对推进器的稳定性和寿命有了更高的要......
空心阴极触持极溅射腐蚀会导致离子推力器性能退化甚至失效,为确保离子推力器长期工作性能稳定性,触持极材料应选用溅射腐蚀速率尽......
国家半导体公司开发了在栅长0．35μm重掺杂多晶硅上形成低阻硅化物（＜5Ω／）的新工艺技术。该硅化物形成工艺如下：首先，在硅圆片上做等离子......
为了研究霍尔推力器通道壁面溅射腐蚀对于推力器寿命的影响,针对霍尔推力器通道壁面溅射腐蚀演化过程,建立了预测推力器腐蚀形貌的......
