建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor,简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道......

在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色......

Full-in-cell（FIC）产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching（RIE）模式干法刻蚀设备进行N＋Etch时,氯的化合物会吸附......

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制......

在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色......

在过去的几十年中,由于金属氧化物薄膜晶体管（TFT）具有优异的电学性质和高的可见光透明度等优点,而被广泛的应用于下一代有源矩阵液......

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷......