氢离子注入相关论文
研究了锗片中注入H离子退火后表面起泡的现象,得到了对应不同退火温度下不同起泡时间的动力学曲线图以及相应的激活能。在不同的温......
智能切削技术结合离子注入和晶片粘接技术的优点,是一种高效地生产高质量薄型SOI(Silicon-on-Insulator)晶片的主流技术。本文......
为了深入了解Ge经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了Ge经注入剂量分别为1×1016/cm2、3×1016/cm2和5×1016/cm2的氢离子注入,......
本研究采用紫外荧光法测量注入样品的表面金属杂质含量,发现氢离子注入引入的微空洞缺陷近距离吸杂能较大程度的减少表面金属沾污......
石英玻璃因其优越的光学性能及丰富的资源,已成为光纤通信、激光技术等领域的重要材料,但其二阶非线性效应为零限制了其在非线性材料......
在室温条件下对钛铁矿进行了注入H2^+离子实验,结合透射电镜观察,研究了钛铁矿还原过程中的微观机理.实验发现,注入H2^+离子后,[^-110]方......
室温下将能量为140keV,剂量为5×10^16/cm^2的H^+注入到硅单晶中,在硅有层下形成了气泡层,采用背散射与沟道技术,热波分析技术以及金相显微镜等分析测试......
利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及电子能量损失谱(EELS)对室温下注入氢离子的CeO2烧结体的显微组织结构和价态进行了原位观察和......
采用中频磁控溅射结合离子束混合技术在不锈钢基体上制备C-SiC涂层。对制备的涂层进行能量5 keV、剂量1×1018 ions/cm2的氢离......
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为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×10m/cm^2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不......
主要介绍了质子导体MO.P2O5玻璃,从其结构、化学稳定性和导电原理等方面总结了前人所做的工作.MO.P2O5玻璃系统化学性较好,在其中注入H^+使某些成分的玻......
用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散......
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本文对硅中注入质子(氢离子)所形成的缺陷进行了研究,发现注入氢的硅先经600℃处理较长时间后,再经高温处理可形成热稳定性很大的......
采用离子注入技术,可使栅氧化层的界面态密度从一般的10~(10)cm~(-2).eV~(-1)左右降到1×10~9cm~(-2).eV~(-1)以下.通过对比实验,......
采用中频磁控溅射结合离子束混合技术在不锈钢基体上制备C-SiC涂层。对制备的涂层进行能量5 keV、剂量1×1018ions/cm2的氢离子注......