栅槽相关论文
本文研究了透射式二元矩形位相光栅实现高斯光束空间整形的基本原理，并作了理论推导；提出了光栅加工的技术指标，对实验工作作了具体描......
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为3......
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N......
研究了电场在介质膜光栅结构中的增强效应对其抗激光损伤阈值的影响.使用傅里叶模式方法计算了电场在介质膜光栅浮雕结构内的分布.......
成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器......
一、概况镜泊湖新厂,首部为地下式厂房。进水口系采用水下岩塞爆破施工方法,於1975年9月完成的,1977年第一台机组发电。为了防止......
在水电站的进水口设置拦污栅,是改善进水口闸门工作条件,保证水轮机正常运行的重要设施。消除拦污栅的堵塞,进行清污,对漂浮物多,......
为了提高SOI(silicon on insulator)器件的击穿电压,同时降低器件的比导通电阻,提出一种槽栅槽源SOI LDMOS(lateral double-diffus......
三门峡水电站坝前进水口拦污栅淤堵问题严重影响机组的正常发电，来不及清理的污物大量堆积，不仅使机组效率下降，甚至危及机组的安全运......
本文针对 InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistors, HEMTs)提出了一种结合高选择性湿法腐蚀......
本文讨论了用不透明的衍射光栅代替多面体的反射面对度盘进行检验的原理、方法以及应用该方法时所必须满足的条件。该方法是将不透......
恒定磁场的塞曼效应原子吸收光谱(ZAAS)仪器通常采用P∥和P⊥的偏振辐射调制。检测器输出的电信号幅度随调制棱镜的旋转而周期地......
本文叙述了目前在研制功率GaAs FET过程中对器件的输出功率有比较重要影响的诸多因素,例如器件的几何结构、源引线寄生电感、热阻......
前言大、中型广播发射机的功率放大级,近年来广泛地采用了四极管。它较三极管增益高(一般三极管功放倍数约为5～10倍,四极管则为50～1......
在1微米栅长的GaAs FET中观察到反常的雪崩效应和耿效应。讨论了它们引起微波电路的恶化以及这些效应形成的原因。还报导了消除这......
本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进......
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ...
Double Planar Doped AlGaAs / InGaAs Power PHEMT Chen Xi......
文章介绍了对ＴＰＦ－１０Ｃ－Ⅰ型１０ｋＷ调频发射机进行技术改造的情况，并着重谈了消除寄生振荡的经验。
This paper introduces the technical transfor......
文中研究了用柠檬酸:H2O2以1:1的体积比作为InAs/AlSb HEMT器件栅槽腐蚀液,确定栅槽完全腐蚀并获得较好的表面平整度的时间.分别对......
图象发射机栅调管中,帘栅引线电感L_g2成为输出、输入电路之间的耦合元件,它形成高频反馈,如图1所示。图中:C_ag1——屏、栅间电......
一、两道拦污栅的起源在同一个拦污栅槽中或者在同一个检修闸门槽中同时置入两道拦污栅的做法,初用于黄河盐锅峡水电站,为1965年我......
成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器......
