极化库仑场散射相关论文
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压......
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)作为GaN材料在电子器件应用中的重要代表,近二十多年来备受关注。一方面,AlGaN/GaNHFETs有效......
本论文分别以有无栅槽、栅长和源漏间距为唯一变量制备AlGaN/GaN HFETs，对比探究PCF散射对凹槽栅耗尽型AlGaN/GaNHFETs器件2DEG电子......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)是GaN基电子器件中的重要代表,GaN材料的优越特性也使得AlGaN/GaN HFETs在大功率、高频应用方......
近几十年以来,人类社会经历了三次半导体材料带动的产业革命。第一代Si、Ge材料、第二代GaAs材料和InP以及第三代宽禁带GaN和SiC材......
GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)是第三代半导体中非常具有代表性的电子器件。GaN材料宽的禁带宽度和稳定的化学性质,使得AlGaN......
信息化已成为当今社会发展的大趋势,微电子技术在推进社会信息化进程中起了很大作用。而半导体器件性能的提高直接影响了微电子技......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaNHFETS)具有饱和电子漂移速度高、击穿电场强、输出功率高等优点,而且由于自发极化和压电极......
随着微波技术的广泛应用,尤其是无线通讯、航空航天、现代国防电子装备等技术的飞速发展以及工作环境要求的日益苛刻,对电子器件的......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)具有很多优秀的性能特性,例如高击穿场强、高输出功率、高饱和电子漂移速度。此外,......
Ⅲ族氮化物异质结场效应晶体管由于其具有的良好特性,特别适用于高频和大功率领域的应用。由于目前GaN HEMT器件制备所采用的非自......
