晶界效应相关论文
基于晶体塑性理论和有限元方法,利用ABAQUS/UMAT二次开发接口,采用FORTRAN语言开发γ-Ti Al合金晶体塑性本构关系子程序,建立综合......
采用2.45GHz多模腔微波炉在低于常规烧结温度160℃的温度下成功制备了(BaSr)TiO致密陶瓷,并对样品进行了XRD、R-T、SEM及复阻抗测......
对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重......
利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄......
通过陶瓷与酸的相互作用，使钛酸钡基ＰＴＣＲ陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合......
为了在钛酸锶铅〔（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３〕基ＰＴＣ材料中获得较强的ＮＴＣ效应，从分析可能产生较强ＮＴＣ效应的原因入手，利用重现性较好的液相化学工艺考察材料的化学不均匀......
TiAl基合金作为一种新型的轻质高温结构材料,具有低密度、高比强度、高比模量、优异的抗氧化、阻燃性及抗蠕变性能等优点,在航空、......
WSTi3515S阻燃钛合金在适当的变形条件下,具有良好的粗晶超塑性。该合金在超塑性变形过程中存在多尺度效应:宏观层面上的应力、应......
考虑到晶界效应,可以将多晶硅中非平衡少数载流子的行为看作单晶硅中非平衡少数载流子的行为叠加一个晶界作用的总效应。由此,用Kr......
通过测量Ｂ含量从０．００至２．２２ａｔ％的单晶和多晶Ｎｉ＿３Ａｌ合金的正电子寿命谱，研究了单晶和多晶Ｎｉ＿３Ａｌ合金中的微观缺陷和电子结构。结果表明，多晶Ｎｉ＿３Ａｌ合金晶界中存在着开......
本文首先建立含有三种介质(各向异性基体、各向异性夹杂、界面层)的平面应变夹杂模型。将基体和夹杂位移场展开为多项式级数,假设......
采用复阻抗解析法研究了ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ材料晶粒、晶界的电学性能。结果表明：使用欧姆接触电极的ＰＴＣＲ材料等效电路的复阻抗为 ：晶粒电阻呈ＮＴＣ特性，而晶......
现在多晶硅材料的直接运用越来越多,因而对多晶硅材料的研究是十分有兴趣的课题之一.从高纯多晶硅原料的生产、多晶硅薄膜的CVD沉......
多晶硅薄膜是许多小单晶的集合体,存在大量的晶界。这些晶界把小的单晶体相互分隔,构成了材料的内表面,具有很高的态密度,对光生......
通过对不同结构的高纯钨进行微米和纳米压痕实验,发现压痕尺寸和晶粒/亚晶粒尺寸对材料的硬度有重要影响。探讨硬度的晶界效应和压......
采用软化学手段制备了LaCaMnO(LCMO)-Ag纳米复合体系,考察了复合对体系磁性和输运性质的影响.研究表明Ag掺入后,LCMO的磁相转变温......
ZnO压敏电阻是利用陶瓷的晶界半导体效应的电子器件，多年来作为浪涌保护器件在电力系统和电子线路中有着广泛的应用。随着社会对电......
多晶硅薄膜晶体管具有高迁移率，可以实现像素矩阵和周边驱动电路的集成，从而大幅提升显示系统的性能和可靠性以及降低制造成本，因而成......
研究开发离子电导率高且制备容易的钠离子导电固体电解质材料对。Na/S电池以及气体传感器的发展具有重要的理论意义和实用价值。NA......
本论文采用传统的固相法制备CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷，研究不同热处理工艺、不同成型工艺、不同氧化物含量和氧化物掺杂对陶瓷结构与......
在ZrO-YO二元系统中添加第三组元从而构成三元系统是目前ZrO基固体电解质材料研制领域中的一个热点.早期进行的初步研究已经发现,......
气体放电活化反应蒸发沉积技术(GDARE)制备的ZnO薄膜经一定温度热处理，可获得良好的非线性Ⅰ—Ⅴ特性。 本文对ZnO压敏薄膜进行......
在大气环境下制备的BaSnO陶瓷，因晶粒存在大量的氧空位，具有电阻率极低的n型半导体特征。由于烧结温度高，用传统的固相反应方法很难制......
高压科学是现代科学技术的一个重要的研究领域,压力作为温度和组分之外的另一维系数,对物质的各种性质都有着不同程度的影响。通过......
采用以聚乙烯醇为聚合剂的湿化学方法合成制备了K0．5 Bi0．5（Ti1-2x Cux Mox）O3（x=0．01，0．06）陶瓷材料。利用x射线衍射、扫描电子显微镜、电......
偏聚到晶界的镁原子可将原子错配度较小的其它溶质原子从晶界驱逐到晶内点阵或晶界相中 ,并可增强间隙原子向晶界的偏聚 ;镁原子可......
用固相反应法制备了La0.67Sr0.08Na0.25MnO3样品.通过磁化强度-温度(M-T)曲线、电阻率-温度(ρ-T)曲线以及ρ-T拟合曲线研究了样品......
采用高分子网络凝胶法,通过控制其化学反应过程,合成了高纯的多晶纳米级粉末Sr2FeMoO6样品A(50 nm) 和样品B(100 nm).对其在高压下......
用固相反应法制备了La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,并测量了在77K～350K范围内零磁场和......
采用电子束-物理气相沉积法（EB-PVD）制备了6个厚度为15-62nm的铂薄膜，研究了纳米薄膜的晶粒尺寸及其对热导率的影响规律．当薄膜厚度小......
用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77 K～420 K范围内测量了样品的......
采用高分子网络凝胶法，通过控制其化学反应过程，合成了高纯的多晶纳米级粉末SrzFeMoO6样品A(50nm)和样品B(100nm)。对其在高压下的结......
本文分析了引起并影响固体电解质材料晶界电行为的因素及研究多晶固体电解质材料晶界效应的各种模型，重点讨论了“砖块模型”（brick......
研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结......
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12（Cu-CCTO）陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对......
偏聚到晶界的镁原子可将原子错配度较小的其它溶质原子从晶界驱逐到晶内点阵或晶界相中 ,并可增强间隙原子向晶界的偏聚 ;镁原子可......
通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.在Ⅰ-Ⅴ曲线中,我......
自1934年超塑性现象被发现,一直以其特殊的塑性变形机制而备受关注.本文以对超塑性变形晶界研究为主线,从力学角度总结了近年来研......
本文研究了锰氧化物系列中Ｌａ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３、Ｌａ０．６Ｐｂ０．４ＭｎＯ３多昌样品的输运性质，发现两样品的电阻率随温度的变化曲线在低温下（Ｔ〈０．８Ｔ）。皆存在明显的肩型凸起，与其相应单......
用固相反应法制备了La2/3(CaxBal—x)1/3MnO3(x＝0．00，0．40，0．45，0．55，0．60，1．00)六种多品CMR材料，并测量了在77K-350K范围内零磁场和0．4T外磁场下......
<正> 从本世纪50年代初开始,人们普遍认识到,不从微观水平上对疲劳的基本过程进行了解,不对整个疲劳过程及其各个阶段的本质进行系......
直接在晶粒表面上通过晶界析出行为和析出相的成分特征等研究了微量对晶界的作用，提出溶质原子的原子错配概念，解释了微量元素的晶界......
针对一固定的低电阻率ＰＴＣ配方，在实验手段允许的范围内，以及在能保证瓷体半导化的温度范围内波动时，改变ＰＴＣ瓷片的烧成温度、保温时间和冷却......
