损伤层相关论文
对超光滑加工散粒研磨工序中采用的三级精磨法,进行了实验研究,通过改进差分化学刻蚀实验测出各级损伤层的厚度,利用损伤层厚度对......
本文针对公司汽车传感器产品中超薄芯片(小于100微米)在贴片DB("DieBonding",以下简称DB)工序中存在的断裂问题。通过测试晶圆磨削......
单晶硅作为一种性能优良,价格低廉的红外光学材料被广泛应用于热成像系统、前视红外、移动传感器等高新技术领域。超精密切削因其......
ECC(Engineered Cementitious Composite)是高延性纤维混凝土的简称,由美国密歇根大学的Victor C.Li教授在20世纪90年代初提出,它......
总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制......
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺.晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高.严重的翘曲......
用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化......
Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了......
用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数......
磨削工艺被广泛应用于大直径Si衬底的制备中,而由磨削带来的Si片表面损伤及形貌对后续加工有较大的影响。利用扫描电子显微镜、粗......
碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的......
采用光学显微镜和光学轮廓仪分析了 InSb 晶片（111）A 面经特定腐蚀剂腐蚀后出现的两种特征腐蚀坑，并通过多次腐蚀试验观察了这两种腐......
磨、抛光过程的理论描述与实际操作是存在一定差距的,必须在实践的过程中根据具体情况进行经验的总结,提出可操作的方法、技巧,以......
基于等效介质概念，对含表面微裂纹构件的力学特性进行了分析，给出了损伤层的定义，建立了含表面微裂纹的梁结构的等效双材料组合梁模型......
金刚石切割线近年来迅猛发展,通过与传统砂浆切割工艺对比分析优缺点,详细介绍了新材料金刚石切割线的分类、特性、结构原理、切割......
研究了铌酸锂晶体在研磨过程中产生的表面损伤层。首先通过激光共聚焦显微镜观察了研磨后晶体的表面形貌,通过原子力显微镜测试了......
改变垂直压力、砂子的堆积密度、尖锐程度变量研究了其对太阳能硅片损伤层大小的影响,改变半导体材料带隙宽度的大小探讨了其对太......
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶......
采用激光刻槽的方法制备电池背面结构，用化学腐蚀的方法对槽区进行清槽和刻蚀损伤层处理。当激光刻槽工艺参数为I=7．4A，v=50mm／s，激光步......
研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析。结果表明:切割......
我国地域辽阔,北方地区每年都有相当长时间处于低温季节,尤其是西北寒旱区,许多地区低温天气持续多达56月。水工建筑物只有在冬季......
介绍了内圆切割、游离磨料线切割、固结金刚石线切割三种加工类型,提出了未来硬脆材料加工新的发展方向。......
根据粉煤灰混凝土在轴压荷载与硫酸盐耦合作用下的过渡区与损伤区的关系,提出了更加贴合实际工程状况的基于影响因子的混凝土损伤......
随着微电子工业迅猛发展，圆片直径越来越大，当150mm、200mm甚至300mm英寸圆片被减薄到150μm以下时，圆片翘曲和边缘损伤问题变得尤为......
随着现代科技的飞速发展,具有特定晶向的单晶硅衍射晶体在高科技领域已经得到了越来越广泛的应用,如中子散射谱仪、硬X射线标定装......
硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出......
硅单晶锭表面滚磨外形为晶锭加工的重要环节,本文以外圆磨削为例,分析了硅锭表面磨削加工的机理,并对滚磨加工后的硅锭表面应力进......
Ｐ〈１１１〉硅磨片表面损伤的研究刘峥翟富义张椿尤重远（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅片损伤层位错１引言自５０年代中期以来，一直进行着硅单......
采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2～ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左......
对由碲镉汞薄膜减薄工艺导致的损伤层的研究至关重要.采用扫播电镜研究了碲镉汞薄膜经减薄工艺后的损伤层,荻得了非當有价值的实验......
结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探......
本文总结了硅片化学腐蚀减薄工艺运用于制备减薄均匀的、直径为20mm、厚度为10多μm、晶格完美的硅片的经验。腐蚀液是用CO_2气体......
碳化硅（SiC）具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬......
现代金相显微镜已普遍采用无限远光学系统设计,并广泛使用平场消色差物镜、广视场目镜、高倍干物镜;一般均装备有明视场、暗视场、......
单晶硅金字塔绒面结构的形成受制绒碱液浓度、添加剂、制绒温度、制绒时间等因素的影响。本实验在不影响车间生产工艺的前提下,从......
采用不同粒径的W28和W7碳化硼（B4C）磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械......
本文应用X射线衍射方法、红外光谱分析方法、扩展电阻测量方法研究了N+和N+2注入硅的应变、损伤度、扩展电阻率随注入剂量、注入深......
硫酸盐在我国分布广泛，海水、盐湖、地下水及盐碱地等环境中大多有硫酸盐存在，硫酸盐侵蚀是导致混凝土劣化最广泛和最普遍的形式之一......
蓝宝石是生长GaN材料最常用的衬底，本文研究了H2SO4和H3PO4的混合酸液的温度、混合酸的比例以及腐蚀时间对蓝宝石腐蚀速率的影响．发......
单晶硅作为微电子元件系统中普遍使用的一种结构材料,其加工方法一直是人们研究的焦点。由于传统机械加工方式的局限性,如不能切割......
芯片的超薄化发展，正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态，并以超薄芯片的减薄加工为中心，综......
介绍了晶圆机械磨削减薄原理、工艺过程和风险,分析了晶圆减薄损伤层厚度的影响因素,并对损伤层厚度与晶圆断裂强度的关系进行了研......
冻融破坏是导致混凝土劣化最广泛和最普遍的形式之一,冻融循环作用使混凝土由表及里的形成损伤层,最终导致混凝土产生层状剥离破坏......
纳米力学性能是研究纳米材料、器件与结构的重要参数之一，已成为纳米技术的重要研究内容。随着微电子、信息、智能系统等逐步向微型......
大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨......
