应变异质结相关论文
近年来，由于AlN、GaN和InN及其化合物等宽禁带Ⅲ族氮化物半导体在光电子器件，特别是高亮度的蓝/绿发光二极管和激光二极管等方面应用......
近年来,对GaN、AlN和InN等闪锌矿和纤锌矿Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体低维材料的研究及其应用是半导体物理的前沿和热点之一,由于其具有......
运用三角势近似且计入电子向势垒的隧穿,通过数值计算方法求解定态薛定谔方程,研究流体静压力影响下有限深势垒ZnSe/Zn1-xCdxSe应......
本文从第一原理出发，用Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格（ZnSe)n/(Si2)n(110)(n=2-7)进行自洽计算，在此基础上采用冻......
基于能量最小近氦模型，研究了应变异质结外延材料，中产生了Ｆｒａｎｄ－Ｒｅａｄ源以释放失配能力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度，对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源......
