平面二极管相关论文
在电压0.6MV-1MV,脉冲重复频率为100Hz条件下,实验研究了爆炸发射阴极的几种特性,包括有效发射面积、平均发射电流密度、二极管阻......
给出了产生宽脉冲微波辐射的大平面天鹅绒二极管虚阴极振荡器的结构和测试装置，测得了二极管中阴－阳极等离子体的闭合速率为３０～４３ｋｍ／ｓ，获得了微......
这里报道了DNA分子界面修饰增强基于吸收可见光的富勒烯衍生物PCBDR的n-型有机场效应晶体管和平面二极管光响应的研究[1]。通......
对半导体表面的研究不泛其人,除了表面场效应是应是MOS器件的理论基础之外,另一主要原因是因为表面场效应能够对平面器件的PN结及......
己采用了液相外延(LPE)生长的p-型Pb_(0.8)/p-型Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te(PbTe在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te上面)作为双色(3～5和8～14微米)探测器......
在上届电子管技术会议上,Norris博士提出了一种称之为EBIRD的电子注电离半导体器件的工作原理。根据这种理论,Norris预见了这种复......
本文介绍用电子束掺杂形成浅结的方法和实验结果,给出了结深在0.1～0.2μm的掺磷、掺硼、掺砷的掺杂层的载流子沿深度方向的分布曲线......
一、引言为了实现低温广范围的温度测量,需要有适当的测温元件。除了考虑价格低廉、互换性和复现性之外,还要求元件在低温区域具......
袅1各种干法腐蚀一_-一一一一参数和电极结构 ～瑚……隧翳压罄围卜极结构怿躅懈1豢纛桶形腐蚀或隧道形 腐蚀顺流或支流等离子 腐蚀......
用腐蚀复印图形是微电子生产的一个组成部分。化学(湿法)腐蚀是最早的刻蚀技术,它有一定的局限性,包括掩模与衬底的附着力差,缺乏......
研究了单台脉冲功率源驱动三路并联真空二极管的爆炸发射电流的同步性和波形,设计了三路并联二极管和相关探测传感器。在此基础上......
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器......
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金......
在电压0．6～1．0MV，脉冲重复频率为100Hz条件下，实验研究了爆炸发射阴极的有效发射面积、平均发射电流密度、二极管阻抗、电子束能量损耗......
分析讨论了双极性流对平面二极管发射电流的影响，并利用PIC程序对平面二极管中的双极性流问题进行了数值对比。在此基础上模拟研究......
