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[期刊论文] 作者：于红,
来源：造纸信息 年份：2005
由于市场惨淡，惠好公司宣布将无限期关停其位于萨斯卡彻温（加拿大）的Prince Albert浆纸厂。...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。...
[期刊论文] 作者：胡加辉, 朱军山, 冯玉春, 张建宝, 李忠辉, 郭宝平,,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射...
[期刊论文] 作者：黄生荣,陈朝,
来源：微纳电子技术 年份：2005
回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。...
[期刊论文] 作者：陶华锋,杨忠孝,宁永功,屠晶景,徐洪艳,,
来源：激光技术 年份：2005
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低....
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2005
Kyma Technologies公司改善了其GaN衬底产品质量并增加了GaN衬底类型。该公司最新开发的导电和半绝缘GaN衬底有10 mm×10 mm正方形和直径为3英寸的圆形两种,其位错密度均小于...
[学位论文] 作者：黄飞,,
来源：吉林大学 年份：2005
长期以来,GaN 材料的生长一直是人们的目标。由于热力学的性质和限制,GaN 单晶生长面临着很大的困难。外延方法是研究的重点,但是由于缺乏与之相应的衬底,致使外延GaN材料的...
[期刊论文] 作者：郭金霞,马龙,伊晓燕,王良臣,王国宏,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
影响GaN基LED效率的主要因素是内量子效率和提取效率.蓝光GaN基的LED内量子效率可达70%以上,紫外GaN基LED可达80%,进一步改善的空间较小.而传统大面积结构GaN基LED由于全反射...
[期刊论文] 作者：张春福,郝跃,游海龙,张金凤,周小伟,
来源：物理学报 年份：2005
在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两...
[学位论文] 作者：胡加辉,
来源：深圳大学 年份：2005
本文利用低压金属有机物化学汽相沉积系统(LP-MOCVD)分别在c面蓝宝石(Sapphire)衬底和Si(111)衬底上外延生长六方相GaN单晶薄膜和LED外延片，围绕提高GaN外延层质量的目的，主...
,Investigation into the Energy Band Diagram and Charge Distribution in AlGaN/GaN Double Heterostruct
[期刊论文] 作者：JI Xiao-Li,CHEN Fan,JIANG Ruo-Lian,ZHOU Jian-Jun,WEN Bo,HAN Ping,XIE Zi-Li,ZHANG Rong,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2005
The energy band diagram and charge distribution of the unintentional doped AlGaN/GaN/AlGaN/GaN doubleheterostructure...
[期刊论文] 作者：方慧智,陆敏,陈志忠,陆羽,胡晓东,杨志坚,张国义,
来源：发光学报 年份：2005
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的....
[期刊论文] 作者：金瑞琴,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2005
采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ／Ⅲ比等生长参数的关系．GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小，而随TMGa流量的增加线性的...
[期刊论文] 作者：Hu Yi-Fan,Beling C D,
来源：中国物理(英文版) 年份：2005
Positron annihilation spectroscopy on GaN films grown on SiC substrate with MBE are presented....It is shown that the GaN/SiC interface is rectifying towards posi...
[期刊论文] 作者：王瑞敏, 陈光德, LIN J Y, JIANG H X,
来源：发光学报 年份：2005
通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究.在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640,660cm-1附近...
[学位论文] 作者：吴花蕊,
来源：河南师范大学 年份：2005
在有效质量近似下，用变分法研究了束缚在AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN圆柱型应变耦合量子点中的激子态以及GaN/AlxGa1-xN耦合量子点的光学性质。...
[期刊论文] 作者：金瑞琴,朱建军,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2005
采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验，优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ／Ⅲ比都会降低...
[期刊论文] 作者：Feng Qian,Gong Xin,Zhang Xiao-Ju,Hao Yue,
来源：中国物理（英文版） 年份：2005
Both the electrical and optical properties are studied of the GaN:Si films with carrier concentrations...
[期刊论文] 作者：吴洁君,韩修训,李杰民,黎大兵,魏宏远,康亭亭,王晓晖,刘祥,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,...
[期刊论文] 作者：李静,冯倩,何秀坤,汝琼娜,周智慧,
来源：微纳电子技术 年份：2005
通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响.实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌.n型GaN薄膜...
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