【摘 要】
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在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学研究所宽禁带材料与器件教育部重点实验室,西安电子
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在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响.
In the GaN / AlGaN / GaN Inverting Heterojunction Photodiode (IHP), the strong polarization effect that exists at the AlGaN / GaN heterojunction interface creates an important contribution to the device’s UV / Solar selectivity ratio The influence of the polarization effect is divided into two parts: electric dipole and polarization. Based on the established IHP model of GaN / AlGaN / GaN structure, The analysis results show that the UV / Solar selectivity of the photodetector is about 103 orders of magnitude only when considering the effect of electric dipole, which is in good agreement with the experimental results.Therefore, Dipole effect.
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