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[期刊论文] 作者：张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气（2DEG）材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜（AFM...
[学位论文] 作者：张会龙,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
由于具有大禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度和大击穿场强等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在最近十几年成为了微波功率器件及电路领域的研究热...
[期刊论文] 作者：,
来源：光源与照明 年份：2013
蓝光发明人Suji Nakamura（中村修二），11月中旬告诉LuxLive（杂志名，该杂志有电子媒体）记者，他对将来发光二极管（LED）在GaN—on-GaN技术方面的看法。...
[期刊论文] 作者：刘洋,苏春磊,欧阳晓平,宋晓靓,马燕,余小任,,
来源：现代应用物理 年份：2013
采用大面积半绝缘型GaN（semi—insulting GaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。...
[学位论文] 作者：孙丽,
来源：厦门大学 年份：2013
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，...
[期刊论文] 作者：席崇选,刘金婷,王伟乐,刘亚慧,宋莹,,
来源：黑龙江科技信息 年份：2013
本文主要讲述了氮化镓（GaN）功率管的发展及优势,并以GaN管芯为基础,分析了采用MCM方案的GaN模块在第四代移动通信微型直放站中的设计及应用。...
[期刊论文] 作者：任春江,陶洪琪,余旭明,李忠辉,王泉慧,王雯,陈堂胜,张斌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。...器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提...
[期刊论文] 作者：通讯员,,
来源：光源与照明 年份：2013
蓝光发明人Suji Nakamura(中村修二),11月中旬告诉LuxLive(杂志名,该杂志有电子媒体)记者,他对将来发光二极管(LED)在GaN-on-GaN技术方面的看法。目前,该技术提供了更好...
[期刊论文] 作者：邓旭光,韩军,邢艳辉,汪加兴,范亚明,张宝顺,陈翔,,
来源：发光学报 年份：2013
利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明...
[学位论文] 作者：万伟,,
来源： 年份：2013
第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向得到了很大发展。常规AlGaN/GaN异质结电子材料要实现大电流,高功率和高频特性性,AlGaN势垒层Al组分和厚度需要增加,...
[学位论文] 作者：万伟,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向得到了很大发展。常规AlGaN/GaN异质结电子材料要实现大电流，高功率和高频特性，AlGaN势垒层Al组分和厚度需要增加，但是...
[期刊论文] 作者：任孟德,秦建新,王金亮,陈超,张昌龙,,
来源：超硬材料工程 年份：2013
论述了近年来国内外GaN材料的最新研究热点和应用情况,着重介绍了GaN低维度纳米材料、外延薄膜材料以及体单晶的常规制备技术;讨论了未来氮化镓材料的研究方向;从不同GaN材料...
[学位论文] 作者：汪洁,,
来源： 年份：2013
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)模型是GaN微波单片集成电路(MMIC)CAD的基础。现有的GaN HEMT物理模型未能解决载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题、...
[会议论文] 作者：刘晓燕,刘宁炀,刘久澄,任远,范广涵,陈志涛,
来源：2013广东材料发展论坛暨战略性新兴产业发展与新材料科技创新研讨会 年份：2013
本文总结了GaN基垂直结构LED应用于大驱动电流的优势，从P面反射镜技术、衬底转移技术、表面粗化技术和N极性面n-GaN欧姆接触技术等关键技术出发，总结了剥离衬底的GaN基垂直结构...
[学位论文] 作者：万晓佳,
来源：中国科学院大学 年份：2013
GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿电场高、热导率高等特点，是制备高温微波功率器件的理想材料。AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)受到国内外研究机...
[期刊论文] 作者：杨扬,李培咸,周小伟,贾文博,赵晓云,,
来源：电子科技 年份：2013
非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象，具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法，在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜，并选取650℃、750℃、850℃这3...
[学位论文] 作者：曹志芳,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
近年来,GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。目前大部分企业的GaN基LED通常是在蓝宝石和S...
[学位论文] 作者：李影智,
来源：北京工业大学 年份：2013
第三代半导体材料重要组成成员的GaN材料的应用范围非常广泛，可以用于制作微电子、光电子等多种器件。 本文对MOCVD生长GaN材料进行特性分析，具体内容如下: 1.采用改变生...
[期刊论文] 作者：李亮,李忠辉,罗伟科,董逊,彭大青,张东国,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射（XRD）结果显示其（002）面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显...
[学位论文] 作者：颜伟,
来源：中国科学院大学 年份：2013
氮化镓(GaN)是目前研究最热门的化合物半导体材料之一。GaN具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和漂移速度快等优良特性，是制备高频大功率晶体管的首选材料。使用GaN材料...
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